تاثیر دما، اسیدیته، جریان الکترونهشت و زیر لایه ی مس بر خواص الکتریکی لایه ی سدی آلومینا و راندمان الکترونهشت نانوسیم های مغناطیسی آهن

نانوسیم‏ها ساختاری ‏یک بعدی هستند که به علت نسبت سطح به حجم بالا در سال‏های اخیر مورد توجه قرار گرفته‏ اند. در این میان، نانوسیم‏ های مغناطیسی با توجه به کاربردهای مختلفی که در صنایع الکترونیک، حافظه‏های مغناطیسی، بیوتکنولوژی، پزشکی و داروسازی دارند، از اهمیت ویژه‏ای برخوردار هستند. بر این‏ اساس در این پروژه نانوسیم‏های مغناطیسی آهن در قالب آلومینای آندی توسط روش الکترونهشت پالسی ساخته شده‏ اند. نکته‏ ی برجسته‏ ی این کار پژوهشی استفاده از کمیت جدید و گزارش نشده‏ ای به نام "دمای لایه‏ ی سدی" است که اثر این کمیت بر خواص مغناطیسی و راندمان الکترونهشت نانوسیم‏ های آهن مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین اثر زیرلایه‏ ی مس، اسیدیته و جریان زیرلایه در دماهای متفاوت لایه‏ ی سدی تحقیق شده است. بررسی تحلیلی نتایج اندازه‏ گیری‏ها توسط دستگاه مغناطومتر نمونه‏ی مرتعش (vsm) حاکی از افزایش بیش از 20 برابری راندمان الکترونهشت توسط افزایش اسیدیته می‏باشد. بیشینه‏ ی راندمان به دست آمده برای نانوسیم‏های آهن بدون زیرلایه‏ ی مس در دمای لایه‏ ی سدی 24 درجه سانتیگراد، در اسیدیته‏ی 4 بیش از 60درصد به دست آمد، درحالیکه کمینه این مقدار کمتر از 3 درصد در اسیدیته‏ ی 2/6 حاصل شد. همچنین در اسیدیته‏ی 2/6 زیرلایه‏ ی مس باعث افزایش قابل ملاحظه‏ی راندمان الکترونهشت شد، به طوریکه در دمای لایه‏ ی سدی 8 درجه سانتیگراد راندمان از حدود 13 به 36 درصد ارتقاء پیدا کرد. با توجه به فعال بودن مس از رویکرد الکتروشیمیایی، با افزایش دمای لایه‏ ی سدی، افت راندمان الکترونهشت مشهود بود. بررسی‏های انجام شده برای جریان الکترونهشت زیرلایه، نشان دهنده‏ ی تاثیر مثبت افزایش این جریان بر راندمان و خواص الکتریکی لایه‏ ی سدی آلومینا می‏باشد. همچنین در این کار، راندمان نهشت نانوسیم‏های آهن توسط کمیت جدید دمای لایه‏ ی سدی بهینه سازی شد که در حالت بهینه، دمای لایه‏ی سدی 24 درجه سانتیگراد و دمای الکترولیت 30درجه سانتیگراداست. همچنین آنالیزهای مغناطیسی انجام شده، میدان وادارندگی نمونه‏های ساخته شده را در بازه‏ی‏ نسبتا گسترده‏ی oe1100 و oe1800 بیان می‏کند که نشان ‏دهنده ‏ی ساختار‏های متفاوت بلوری به دست آمده است. همچنین تحلیل طیف پراش پرتو x بیانگر این مطلب می‏باشد که نانوسیم‏ های ساخته شده در راندمان‏های بیشینه و حتی کمینه هم از بلورینگی بالایی برخوردار می‏باشند.